一种化学气相沉积高纯钨溅射靶材制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201910128681.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109609926A | 公开（公告）日 | 2019-04-12 |
| 申请公布号 | CN109609926A | 申请公布日 | 2019-04-12 |
| 分类号 | C23C16/14;C23C14/34 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 刘洋;刘瑞 | 申请（专利权）人 | 苏州鑫沣电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京科家知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 张丽 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市太仓市陈门泾路103号工业园区11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种化学气相沉积高纯钨溅射靶材制作方法，包括如下步骤：（1）准备原料：以常温常压为气态的六氟化钨为原料；（2）制备高纯金属钨：通过化学气相沉积设备，用还原气体将六氟化钨还原成高纯金属钨；（3）将步骤（2）中得到的高纯金属钨沉积到基体材料上，一步法生产高纯度钨靶材或钨靶材坯料。本发明以解决现有的钨靶材坯料纯度低，不易加工，表面易污染，质量一致性差等问题，气相沉积反应为连续气态反应，反应过程均匀，产品一致性好；采用一步法制备钨靶材，避免二次加工污染，有利于保证钨靶材产品质量，且生产成本低。 |
