一种基于操作时间或电流判断闪存芯片可靠性的方法及测试装置
基本信息
| 申请号 | CN201810502719.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN108831517B | 公开（公告）日 | 2021-04-27 |
| 申请公布号 | CN108831517B | 申请公布日 | 2021-04-27 |
| 分类号 | G11C29/56 | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 潘玉茜;李四林 | 申请（专利权）人 | 武汉置富半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 武汉蓝宝石专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 廉海涛 |
| 地址 | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山一路1号华中曙光软件园蓝域·商界2号楼3层304-5 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于闪存芯片可靠性测试技术，尤其是涉及一种通过操作时间或电流判断闪存芯片可靠性的方法及测试装置。本发明首先通过测试装置采集样本闪存芯片的操作时间或电流，然后对数据进行分析处理，建立数据与闪存芯片可靠性的对应关系，再由测试装置收集待测闪存芯片的操作时间和电流，最后结合可靠性的对应关系判断待测芯片的可靠性。本发明中提出的判断闪存芯片可靠性方法与一般方法相比，不易受到闪存中存储数据取值的干扰，同时克服了一般方法无法有效防止闪存突然失效而造成数据损失的缺点。 |
