一种闪存寿命预测方法、系统、存储介质

基本信息

申请号 CN201811544535.X 申请日 -
公开(公告)号 CN109830254A 公开(公告)日 2019-05-31
申请公布号 CN109830254A 申请公布日 2019-05-31
分类号 G11C16/34(2006.01)I; G11C29/56(2006.01)I 分类 信息存储;
发明人 刘政林; 潘玉茜; 张浩明; 李四林 申请(专利权)人 武汉置富半导体技术有限公司
代理机构 武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 代理人 廉海涛
地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关山一路1号华中曙光软件园C幢306室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种闪存寿命预测方法、系统和计算机可读存储介质。本发明首先通过闪存数据采集装置收集预测闪存寿命所需的特征量数据,然后对特征量进行运算操作,将测量得到的特征量及特征量的运算结果构成集合,取集合中的子集作为人工神经网络的输入,运行人工神经网络,最后由人工神经网络计算得到特征量对应的闪存的寿命预测值。本发明中提出的采用人工神经网络预测闪存寿命的方法,能够更加有效地提取闪存参数的变化特征,同时可通过输入新的数据或改变训练方法等方式优化人工神经网络的预测能力,与一般预测方法相比灵活度更高。