一种化合物半导体的腐蚀方法
基本信息
| 申请号 | CN201610757979.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106257624A | 公开（公告）日 | 2016-12-28 |
| 申请公布号 | CN106257624A | 申请公布日 | 2016-12-28 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 法比奥·圣阿加塔;艾莉娜·耶尔沃利诺;罗伯特·索科洛夫斯基;董明智 | 申请（专利权）人 | 北京代尔夫特电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 北京代尔夫特电子科技有限公司 |
| 地址 | 100028 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种化合物半导体的腐蚀方法，所述方法包括如下步骤：(1)在化合物半导体上覆盖图案化的掩膜层；所述化合物半导体为二元和/或多元III‑V族化合物半导体；(2)采用高密度等离子体源产生的高密度等离子体对暴露的化合物半导体进行氧化处理，得到氧化层，其中掩膜层不与高密度氧等离子体反应；(3)去除氧化层；(4)去除图案化的掩膜层，得到腐蚀后的化合物半导体。所述方法能够快速、精确控制二元和/或多元III‑V族化合物半导体的刻蚀速率和刻蚀深度，表面损伤较低，无残留，且刻蚀表面均一性高，可用于晶体管凹栅和欧姆接触等结构的形成。 |
