一种湿法腐蚀三族氮化物的方法
基本信息
| 申请号 | CN201510958312.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105551951A | 公开（公告）日 | 2016-05-04 |
| 申请公布号 | CN105551951A | 申请公布日 | 2016-05-04 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 法比奧·圣阿加塔;艾莉娜·耶尔沃利诺;罗伯特·索科洛夫斯基;董明智;张国旗;王小葵 | 申请（专利权）人 | 北京代尔夫特电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京品源专利代理有限公司 | 代理人 | 北京代尔夫特电子科技有限公司 |
| 地址 | 100028 北京市顺义区中关村科技园区顺义园临空二路1号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种湿法腐蚀三族氮化物的方法，所述方法为：先用氧化剂溶液将三族氮化物中的金属元素氧化为金属氧化物，再用氧化物腐蚀液将金属氧化物去除，即得到腐蚀后的三族氮化物。本发明提供的腐蚀三族氮化物的方法中的氧化只会发生在三族氮化物表层及表层以下的一定深度(几个至十几个纳米)；所述氧化物的去除不会损伤氧化物之下的氮化物材料；所述方法只需溶液腐蚀环境，腐蚀过程无需高温，可在100℃以下，甚至常温下进行，对工艺和设备要求低，适于大规模生产。 |
