一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法
基本信息
| 申请号 | CN202110573715.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113387360A | 公开（公告）日 | 2021-09-14 |
| 申请公布号 | CN113387360A | 申请公布日 | 2021-09-14 |
| 分类号 | C01B33/035（2006.01）I | 分类 | 无机化学; |
| 发明人 | 梁正;孟国均;李建设;吕永峰;郭蕊;钱光凝;仪得志;陈源茂;刘纪江;丁远清 | 申请（专利权）人 | 河南硅烷科技发展股份有限公司 |
| 代理机构 | 上海旭诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立 |
| 地址 | 461700河南省许昌市襄城县煤焦化循环经济产业园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种抑制区熔级多晶硅CVD过程中硅枝晶生长的界面浸润性调控方法，涉及区熔级多晶硅领域，包括U型硅芯表面除去表面杂质；置于热裂解炉反应器内部，用氮气置换空气；用氢气置换氮气；持续通入氢气，对反应器内硅芯加载电流，使硅芯表面氧化层还原，调控其浸润性并构筑“超亲硅”表面；调节电流控制硅芯达到反应温度，通入高纯硅烷和高纯氢气的混合气，硅烷在硅芯表面高温裂解，产物硅在“超亲硅”硅芯表面均匀成核、“层状生长”，最终得到致密的多晶硅棒。本发明通过表界面调控，降低成核势垒，可有效抑制硅沉积过程中的“岛状生长”与硅枝晶问题，从而获得满足区熔级多晶硅力学性能的产品，设计合理，操作方便，实用性强。 |
