便于后续加工的GaN器件晶圆结构
基本信息
| 申请号 | CN202020472201.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211350655U | 公开（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申请公布号 | CN211350655U | 申请公布日 | 2020-08-25 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘春利 | 申请（专利权）人 | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市鼎智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种便于后续加工的GaN器件晶圆结构，包括GaN器件晶圆，在所述GaN器件晶圆的边缘进行刻蚀到衬底或基板使得所述GaN器件晶圆的功能层的边缘为圆形，在所述衬底或基板上覆盖一圈保护介质，所述保护介质构成边缘刻蚀后的所述GaN器件晶圆的保护环。本实用新型能够有效提高GaN器件晶圆在后续加工成GaN器件的性能可靠性以及良品率。 |
