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基于GaN材料的半导体器件材料层结构以及GaN器件

基本信息

申请号 CN202020475491.6 申请日 -
公开（公告）号 CN211320109U 公开（公告）日 2020-08-21
申请公布号 CN211320109U 申请公布日 2020-08-21
分类号 H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I 分类 -
发明人 刘春利 申请（专利权）人 深圳镓华微电子有限公司
代理机构 深圳市鼎智专利代理事务所（普通合伙） 代理人 深圳镓华微电子有限公司
地址 518000广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供一种基于GaN材料的半导体器件材料层结构，其包括衬底以及在衬底上依次形成的形核层、过渡层、超结晶格层、第一二维电子气约束层、通道层、阻挡层、实时沉积于阻挡层上的第一钝化层、第二二维电子气约束层、实时沉积于所述第二二维电子气约束层上的第二钝化层、第三钝化层，于所述通道层以及所述阻挡层之间形成二维电子气，所述第一二维电子气约束层的禁带宽度大于所述通道层的禁带宽度，所述第二二维电子气约束层的禁带宽度大于所述阻挡层的禁带宽度，所述第三钝化层为低压等离子SiNx层。本实用新型从多方面来充分降低GaN器件的动态导通电阻，特别是高温动态导通电阻，提高GaN器件的可靠性。