可提高GaN器件可靠性的器件结构
基本信息
| 申请号 | CN202020474428.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211455693U | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN211455693U | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘春利 | 申请（专利权）人 | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市鼎智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。本实用新型可避免微观裂纹的扩张。 |
