氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构专利查询专利号|摘要-满商公司网

氮化镓MISHEMT的制作方法以及结构

基本信息

申请号	CN202010265918.4	申请日	-
公开（公告）号	CN111341660A	公开（公告）日	2020-06-26
申请公布号	CN111341660A	申请公布日	2020-06-26
分类号	H01L21/335(2006.01)I	分类	-
发明人	刘春利	申请（专利权）人	深圳镓华微电子有限公司
代理机构	深圳市鼎智专利代理事务所（普通合伙）	代理人	深圳镓华微电子有限公司
地址	518000广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
法律状态	-

摘要

本发明提供一种氮化镓MISHEMT的制作方法，包括：晶圆开槽并在槽内沉积金属得到源极金属、漏极金属以及栅门金属；表面沉积第一绝缘介质层；将第一绝缘介质层开口以打开源极金属以及漏极金属，并在开口内形成第一链接金属；表面沉积第一金属层；刻蚀第一金属层得到链接源极金属的第一源极金属场板以及链接漏极金属的第一漏极金属场板；表面沉积第二绝缘介质层；将第二绝缘介质层开口以分别打开第一源极金属场板以及第一漏极金属场板，并在开口内形成第二链接金属；表面沉积第二金属层；刻蚀第二金属层得到链接第一源极金属场板的第二源极金属场板以及链接第一漏极金属场板的第二漏极金属场板；表面沉积钝化层。本发明能够有效提高器件抗压性能。