可防止器件加工过程中交叉污染的GaN晶元结构
基本信息
| 申请号 | CN202020472202.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211455673U | 公开（公告）日 | 2020-09-08 |
| 申请公布号 | CN211455673U | 申请公布日 | 2020-09-08 |
| 分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | - |
| 发明人 | 刘春利 | 申请（专利权）人 | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市鼎智专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 深圳镓华微电子有限公司 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种可防止器件加工过程中交叉污染的GaN晶元结构，所述GaN晶元包括GaN外延材料结构，所述GaN外延材料结构包括衬底以及形成于所述衬底上的功能层，于所述GaN外延材料结构的所有外表面覆盖了外表层，所述外表层为低压等离子SiNx。本实用新型在工艺加工过程中，防止了GaN晶元与生产线交叉感染。 |
