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一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器

基本信息

申请号 CN202110798999.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113483926A 公开（公告）日 2021-10-08
申请公布号 CN113483926A 申请公布日 2021-10-08
分类号 G01L1/22（2006.01）I;G01L9/04（2006.01）I;G01L9/00（2006.01）I;G01L19/06（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 康昊;严家佳;陈君;何性顺;张俊峰;王丹;叶希洋;姬建荣;苏健军 申请（专利权）人 西安近代化学研究所
代理机构 西安恒泰知识产权代理事务所 代理人 史玫
地址 710065陕西省西安市雁塔区丈八东路168号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种爆炸场MEMS压阻式压力传感器，包括了两个尺寸不同的敏感膜片，其中较小硅应变膜可以设计为灵敏度较小，量程较大的结构，具有较强的过载能力，满足冲击波压力峰值的测量；除此之外，其中较大硅应变膜的上方设置带有通孔的硅盖帽，盖帽与相应硅应变膜形成了空腔，通过合理设计气孔和空腔的体积可以滤除具有高频特征的冲击波压力信号，使具有低频、零频的准静态压力信号作用于相应硅应变膜；并且，两个敏感膜片的背面均设计有岛，当压力超过量程时，岛会与玻璃基底接触，具有一定的抗过载能力，进一步保护了具有高灵敏度、小量程的第一硅应变膜。