一种异质结电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210306227.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114725239A | 公开（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申请公布号 | CN114725239A | 申请公布日 | 2022-07-08 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 周肃;龚道仁;徐晓华;张良;张景 | 申请（专利权）人 | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 242000安徽省宣城市宣城经济技术开发区安徽省宣城经济技术开发区科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种异质结电池的制备方法，该方法包括：提供半导体衬底层，在所述半导体衬底层至少一侧形成掺杂非晶硅膜；对所述掺杂非晶硅膜在富氧条件下进行晶化处理，使所述掺杂非晶硅膜形成掺杂微晶硅膜。本发明的异质结电池的制备方法中，掺杂微晶硅膜由掺杂非晶硅膜晶化后形成，采用沉积非晶硅膜而后再微晶化的方式，其设备成本相对于直接沉积微晶硅膜的设备成本较低，且非晶硅膜晶化工艺简单，可显著降低生产成本。 |
