半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210189426.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114566568A | 公开（公告）日 | 2022-05-31 |
| 申请公布号 | CN114566568A | 申请公布日 | 2022-05-31 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L21/228（2006.01）I;H01L21/316（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张良;张景;周锡伟;周肃;龚道仁;徐晓华 | 申请（专利权）人 | 安徽华晟新能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 242000安徽省宣城市宣城经济技术开发区青弋江大道宣城科技园 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种半导体衬底层的处理方法和太阳能电池的制备方法。半导体衬底层的处理方法包括提供单晶硅硅片的步骤、对所述单晶硅硅片的表面喷淋扩散液的步骤和对单晶硅硅片进行退火处理的步骤，还包括：在对单晶硅硅片的表面喷淋扩散液之前，对所述单晶硅硅片进行表面氧化处理，所述表面氧化处理用于增加所述单晶硅硅片的表面对所述扩散液的亲液性，以增加所述单晶硅硅片退火处理的均匀性。本发明提供的半导体衬底层的处理方法可解决扩散液铺展不均匀的问题，极大提高半导体衬底层的性能。 |
