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异质结电池的制备方法及异质结电池

基本信息

申请号 CN202210383405.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114725246A 公开（公告）日 2022-07-08
申请公布号 CN114725246A 申请公布日 2022-07-08
分类号 H01L31/18（2006.01）I;H01L31/072（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 庄挺挺;徐昕;李建清;辛科;李晨 申请（专利权）人 安徽华晟新能源科技有限公司
代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 242000安徽省宣城市经济技术开发区科技园
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及异质结电池技术领域，具体提供一种异质结电池的制备方法及异质结电池。该异质结电池的制备方法，包括：形成半导体衬底层，半导体衬底层的正面和/或背面为抛光面；在半导体衬底层的抛光面一侧形成透明导电膜；对透明导电膜进行刻蚀，以在透明导电膜背离抛光面的一侧表面形成减反射结构。该异质结电池中半导体衬底层的表面比较平整，即使生长较薄的透明导电膜均匀性也较好，透明导电膜对电流的引出比较均匀，能够提高透明导电膜对电流的收集能力；由于无须对半导体衬底层进行制绒清洗制绒处理，半导体衬底层较厚，较厚的半导体衬底层能够产生更多的电子和空穴对，从而能够产生较大的电流，提高异质结电池的开路电压。