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一种发光二极管的透明电极及其制备方法

基本信息

申请号	CN201811406282.X	申请日	-
公开（公告）号	CN109638136B	公开（公告）日	2019-04-16
申请公布号	CN109638136B	申请公布日	2019-04-16
分类号	H01L33/42(2010.01)I	分类	-
发明人	王钢;卓毅;陈梓敏;马学进;练海啸	申请（专利权）人	广州和光同盛科技有限公司
代理机构	广州圣理华知识产权代理有限公司	代理人	中山大学;广州和光同盛科技有限公司
地址	510260广东省广州市海珠区新港西路135号
法律状态	-

摘要

本发明提供一种发光二极管的透明电极，制备方法包括如下步骤：S1.对外延片表面进行化学清洗，然后放入MOCVD反应腔内部保持300‑900℃，压力为3‑100Torr，处理1～60min；S2.在保护气氛下，调节生长温度为450‑650℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为0.1‑3nm/min，在预处理后的外延片表面生长厚度为40‑500nm的ITO主体层；S3.在保护气氛下，调节生长温度为300‑450℃，调节反应腔的压力为3‑80Torr，然后通入铟源、锡源与氧源，控制生长速度为1‑10nm/min，在ITO主体层上生长厚度为20‑200nm的ITO粗化层。本发明原位生长粗化层的方法十分契合所述ITO透明电极主体层的制备方法，且避免后续进行复杂的工艺处理，可以有效的提高LED的光萃取效率。