一种紫外LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201811623230.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109742210A | 公开（公告）日 | 2019-05-10 |
| 申请公布号 | CN109742210A | 申请公布日 | 2019-05-10 |
| 分类号 | H01L33/46（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王钢; 陈伟驱; 练海啸; 陈梓敏; 马学进 | 申请（专利权）人 | 广州和光同盛科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州圣理华知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中山大学; 广州和光同盛科技有限公司 |
| 地址 | 510260 广东省广州市海珠区新港西路135号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种紫外LED芯片，由上至下依次为混合滤波片、衬底、缓冲层、n型半导体层、MQW有源层、p型半导体层、透明电流层、紫外DBR层以及金属对称电极；所述混合滤波片是由两个中心波长不同的带通滤波片组成，所述带通滤波片是由TiO2、SiO2交替叠加，周期性排列组成的多层膜；所述紫外DBR层的材料是由SiO2、Ta2O5组成；所述金属对称电极为p型电极和n型电极，所述金属对称电极由Cr、Al、Ni、Ti、Pt、Au组成。本发明解决了目前紫外LED芯片中，ITO薄膜对紫外光有强吸收、紫外光的萃取效率低下以及荧光粉的利用效率不高的问题。 |
