对垂直腔表面发射激光器的导电结构进行改进的装置和方法
基本信息
| 申请号 | CN03809926.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1332487C | 公开（公告）日 | 2007-08-15 |
| 申请公布号 | CN1332487C | 申请公布日 | 2007-08-15 |
| 分类号 | H01S5/18(2006.01);H01S3/08(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | X·张 | 申请（专利权）人 | 华夏智慧城市（北京）科技有限公司 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 路美光电公司;华夏智慧城市（北京）科技有限公司 |
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 在垂直腔表面发射激光器(VCSEL)(200)的筒体上形成高掺杂的半导体层(280)，从而提供电流传导并使电流散布穿过并进入激光器筒体的开孔中，同时无需挡光的导电性接触件突出。该VCSEL(200)包括基底、第一分布式布拉格反射体(DBR)(230)、激活区(240)、具有非导电性离子注入区(255)和第一直径(260)的激光器筒体区的第二DBR、高掺杂的半导体层(280)，以及导电性接触件(215)。该导电性接触件限定了具有大于第一直径的第二直径(265)的开口。 |
