一种耐高压的ESD保护器件、结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110740418.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113192952B | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN113192952B | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H01L27/02（2006.01）I;H01L21/8222（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘森;刘筱伟;刘海彬;向可强;班桂春 | 申请（专利权）人 | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 510663广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种耐高压的ESD保护器件、结构及制备方法，所述耐高压的ESD保护结构包括ESD保护模块和保护环；所述保护环位于所述ESD保护模块的外周，所述保护环用于减少所述ESD保护模块对外界的干扰；所述耐高压ESD保护器件包括多个保护环和多个高压ESD保护模块；各个保护环通过相互连接形成一个整体；各个保护模块之间相互并联。本发明解决了高压ESD保护器件的耐高压问题，通过利用多种类型的二极管连接形成稳压结构，实现了高压ESD保护，同时提出了利用分割保护环对其进行屏蔽的设计，提升了整体耐压能力。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。 |
