基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110645504.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113257906A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113257906A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L27/02（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘森;刘筱伟;刘海彬;关宇轩;向可强 | 申请（专利权）人 | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 林丽丽 |
| 地址 | 510663广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，所述ESD保护器件结构包括：衬底；隧穿晶体管，位于所述衬底上方；其中，所述隧穿晶体管具有P型掺杂的半导体层；隔离结构，位于所述隧穿晶体管两侧的所述衬底上方；深N阱，位于所述衬底和所述隧穿晶体管的半导体层之间，并通过贯穿所述隔离结构的深N阱引出端引出。通过本发明提供的基于隧穿晶体管的ESD保护器件结构及其制备方法，解决了现有ESD保护器件尺寸大、低速的问题。 |
