双向ESD保护器件、结构及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202011235908.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112151534B | 公开（公告）日 | 2021-08-17 |
| 申请公布号 | CN112151534B | 申请公布日 | 2021-08-17 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L21/84 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 史林森;刘兴龙;关宇轩;李建平;刘森 | 申请（专利权）人 | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 佟婷婷 |
| 地址 | 510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种双向ESD保护器件、结构及制备方法，ESD保护结构包括至少一个ESD保护结构单元，ESD保护结构单元包括基底、N阱、第一P阱、第二P阱、第一P注入区、第二P注入区、第三P注入区、第一N注入区、第二N注入区、第一导电栅、第二导电栅及功能层引出结构。本发明的双向ESD保护器件、结构及制备方法，通过前栅可以改变阱的电势，背栅不仅可以改变阱电势，还可以改变集电结的势垒，实现对触发电压的调制。无论正向还是反向的静电信号，都可以实现正负的调制，电压范围可变化而不影响其它器件，极大的增加了设计的灵活性以及系统的可靠性。本发明可采用多指结构设计，提升泄放电流能力。 |
