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触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法

基本信息

申请号	CN202010667706.9	申请日	-
公开（公告）号	CN111863804B	公开（公告）日	2021-09-07
申请公布号	CN111863804B	申请公布日	2021-09-07
分类号	H01L27/02;H01L21/8222	分类	基本电气元件;
发明人	刘森;李建平;史林森;刘兴龙;罗建富	申请（专利权）人	微龛（广州）半导体有限公司
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	施婷婷
地址	510663 广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元
法律状态	-

摘要

本发明提供一种触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法，包括：位于衬底上的深N阱；相邻设置于深N阱内的N阱及P阱；以及，第一P+注入区及第二P+注入区，第一P+注入区设置于N阱内，第二P+注入区设置于N阱及P阱内，第一P+注入区与第二P+注入区之间设置有隔离区；第一P+注入区、N阱及第二P+注入区构成第一PNP三极管，第一P+注入区、N阱及P阱构成第二PNP三极管，N阱与第二P+注入区的接触面积可调。本发明的触发电压可调双向ESD保护器件、结构及制备方法将击穿电压不同的PNP三极管并联，通过调节并联部分的接触面积实现触发电压的可调；同时基于PNP三极管相当于背靠背的两个二极管结构实现正负信号的双向保护。