一种非对称MOSFET及其制造方法以及半导体器件
基本信息
| 申请号 | CN202010110911.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113299554A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113299554A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L27/088（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 刘森;戴彬;史林森;刘筱伟 | 申请（专利权）人 | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 余明伟 |
| 地址 | 510663广东省广州市高新技术产业开发区科学大道18号A栋十一层1101单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种非对称MOSFET及其制造方法以及半导体器件，非对称MOSFET形成在绝缘体上硅衬底上，并且源极区的轻掺杂区的长度小于漏极区的轻掺杂区的长度，或者源极区没有轻掺杂区。由于绝缘体上硅衬底自身的特点，使得绝缘体上硅比体硅能够实现更浅的源漏结，因而能够制造更高速度的晶体管。尤其对于30nm以下的晶体管工艺，采用绝缘体上硅是提高晶体管速度的优良解决方案。本发明的制造方法与传统的非对称MOSFET制造工艺兼容，整个过程不会产生成本的提高。半导体器件中非对称MOSFET的不同的排布方式不需要增加光掩模版，也不会增加工艺控制的复杂度和倾斜角的控制难度，同时增加了实际电路使用中的丰富度。 |
