相位移掩模版、掩模版修补方法及设备
基本信息
| 申请号 | CN202110858794.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113467180A | 公开（公告）日 | 2021-10-01 |
| 申请公布号 | CN113467180A | 申请公布日 | 2021-10-01 |
| 分类号 | G03F1/26;G03F1/72 | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 张哲玮;高翌;朱佳楠 | 申请（专利权）人 | 泉意光罩光电科技（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 董艳芳 |
| 地址 | 250000 山东省济南市高新区经十路7000号汉峪金融商务中心A4-（4）办公楼九层904室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种相位移掩模版、掩模版修补方法及设备，涉及半导体制程技术领域。本申请在获取到对应掩模图案区域内存在遮光材料残留物的目标相移掩模版后，会针对该目标相移掩模版的掩模图案区域内的遮光材料残留物进行局部去除，以将遮光材料残留物构建为目标光栅结构，此时对目标相移掩模版中与遮光材料残留物投影位置重叠的第一相移区域来说，该第一相移区域的靠近目标光栅结构的区域表面将相对于目标光栅结构部分暴露，使目标相移掩模版中的第一相移区域能够恢复相位移效应及相消干涉功能，从而快速且有效地实现对具有遮光材料残留物的相移掩模版的修补作业，确保修补后的相移掩模版能够达到预期曝光效果。 |
