相位移光罩残留缺陷处理方法、系统和相位移光罩
基本信息
| 申请号 | CN202010879382.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111830779A | 公开（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申请公布号 | CN111830779A | 申请公布日 | 2020-10-27 |
| 分类号 | G03F1/26;G03F1/72;G03F1/80;G03F1/82;G03F1/84;G03F7/16;H01L21/027;H01L21/033 | 分类 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕; |
| 发明人 | 萧志伟;查思豪;蔡奇澄;简永浩 | 申请（专利权）人 | 泉意光罩光电科技（济南）有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 刘曾 |
| 地址 | 250000 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种相位移光罩残留缺陷处理方法、系统和相位移光罩，涉及半导体制造技术领域，本发明采用了局部曝光技术，与现有技术中的重新走一遍制程，并采用全面曝光技术相比，本发明通过对缺陷区域内的光刻胶层进行局部曝光和显影，并使得缺陷位置漏出，然后进行蚀刻，能够精确地对金属缺陷处进行处理，避免了对整片的曝光处理，以减少缺陷处理花费时间，缩短制程流程耗时，同时由于曝光范围小，可以采用激光设备进行局部曝光，避免使用光刻机，减少了光刻机产能的浪费。 |
