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半导体器件及形成方法

基本信息

申请号 CN202210178621.3 申请日 -
公开（公告）号 CN114551323A 公开（公告）日 2022-05-27
申请公布号 CN114551323A 申请公布日 2022-05-27
分类号 H01L21/683（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 魏峰;相奇;徐伟 申请（专利权）人 广东芯粤能半导体有限公司
代理机构 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 510000广东省广州市南沙区黄阁镇金茂西二街2号103房之六
法律状态 -

摘要

摘要 一种半导体器件及形成方法，形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的厚度为第一厚度，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底的第一表面形成支撑层，所述支撑层的熔点大于第一温度阈值；在所述半导体衬底的第二表面形成器件层，所述第一温度阈值大于等于所述器件层形成过程中的工艺温度；去除所述支撑层。通过在所述半导体衬底的第一表面形成支撑层，该支撑层起到承受应力的作用，可以使得衬底比较薄，降低了材料成本及晶圆加工成本的同时，提高了晶圆的抗物理冲击能力，降低了碎片风险；另外，所述支撑层的熔点大于第一温度阈值，可以防止该支撑层在后续形成器件层时发生融化失去支撑作用。