沟槽型晶体管及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202210039022.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114496796A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114496796A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏峰;相奇;戴学春 | 申请（专利权）人 | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 510000广东省广州市南沙区黄阁镇金茂西二街2号103房之六 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开一种沟槽型晶体管及其形成方法，所述形成方法包括：提供基底；在所述基底内形成第一沟槽；在所述第一沟槽的内部表面形成栅介质材料层；刻所述第一沟槽底部的栅介质材料层至暴露出所述第一沟槽的底部的基底，形成位于所述第一沟槽侧壁的栅介质层；继续沿所述第一沟槽刻蚀所述基底，在所述第一沟槽底部形成所述第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁表面形成隔离层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充栅极。上述方法形成的沟槽型晶体管的性能得到提高。 |
