半导体结构、半导体器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210004678.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114334621A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114334621A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | H01L21/04（2006.01）I;H01L21/28（2006.01）I;H01L21/306（2006.01）I;H01L21/308（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏峰;相奇 | 申请（专利权）人 | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 史治法 |
| 地址 | 511458广东省广州市南沙区环市大道南33号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体结构、半导体器件及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底内形成初始凹槽，初始凹槽内具有尖锐拐角；对初始凹槽进行平滑处理，以去除尖锐拐角，得到具有光滑内壁的沟槽。在上述半导体结构的制备方法中，通过将初始凹槽中的尖锐拐角进行平滑处理，可以去除所有尖锐拐角，形成具有光滑内壁的沟槽，从而可以防止电场线在尖锐拐角处集中，避免出现局部电场强度过高从而击穿介电层的情况，提高半导体结构的可靠性。并且，与尖锐拐角相比，光滑的沟槽内壁对电流通路具有明显的扩展作用，降低了导通电阻。 |
