半导体结构及其形成方法
基本信息
| 申请号 | CN202210038158.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114496795A | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN114496795A | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏峰;相奇;戴学春 | 申请（专利权）人 | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市嘉勤知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 510000广东省广州市南沙区黄阁镇金茂西二街2号103房之六 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：提供基底，在所述基底内形成具有第一深度的第一沟槽；在所述第一沟槽的侧壁表面形成牺牲层；沿形成有所述牺牲层的所述第一沟槽刻蚀所述基底，形成位于所述第一沟槽下方的第二沟槽；在所述第二沟槽的内壁形成隔离层；去除所述牺牲层，暴露出所述第一沟槽的侧壁；在所述第一沟槽的侧壁表面形成栅介质层。所述半导体结构的性能得到提高。 |
