微功耗电压基准电路
基本信息
| 申请号 | CN200910023590.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN101667049B | 公开（公告）日 | 2011-08-10 |
| 申请公布号 | CN101667049B | 申请公布日 | 2011-08-10 |
| 分类号 | G05F3/24(2006.01)I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 刘成;魏廷存;孙井龙 | 申请（专利权）人 | 西安龙腾微电子科技发展有限公司 |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 | 代理人 | 黄毅新 |
| 地址 | 710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E座6F | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种微功耗电压基准电路，包括一个耗尽型NMOS晶体管M2、一个增强型NMOS晶体管M5、一个增强型NMOS晶体管M3以及电阻R2。该电路功耗极低，结构简单，节省芯片面积。电路不需要启动电路，耗尽型NMOS晶体管M2在VGS＝0的情况下即导通，可提供极小的恒定电流(nA级)，该电流流经增强型NMOS晶体管M5，在增强型NMOS晶体管M5上产生恒定的栅-源电压，该电压即为电压基准。电路消耗极低电流(约850nA)，可满足低功耗设计的要求。 |
