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高精度电压基准电路

基本信息

申请号	CN200910023592.8	申请日	-
公开（公告）号	CN101667050B	公开（公告）日	2011-11-30
申请公布号	CN101667050B	申请公布日	2011-11-30
分类号	G05F3/24(2006.01)I	分类	控制；调节;
发明人	刘成;魏廷存;孙井龙	申请（专利权）人	西安龙腾微电子科技发展有限公司
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	黄毅新
地址	710077 陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E座6F
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种高精度电压基准电路，包括耗尽型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M5，其特点是还包括一个耗尽型NMOS晶体管M3，所述耗尽型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD，耗尽型NMOS晶体管M3的栅极和源极相连并与耗尽型NMOS晶体管M4的漏极连接，耗尽型NMOS晶体管M4的栅极和源极相连并连接到增强型NMOS晶体管M5的漏极，增强型NMOS晶体管M5的栅极和漏极相连接，增强型NMOS晶体管M5的源极和负电源VSS相连接，增强型NMOS晶体管M5的栅极即为电压基准的输出端。由于耗尽型NMOS晶体管M3和耗尽型NMOS晶体管M4组成共源共栅电路，具有很高的输出阻抗，从而稳定了电压基准的输出。