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锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路

基本信息

申请号	CN200910023594.7	申请日	-
公开（公告）号	CN101667740A	公开（公告）日	2010-03-10
申请公布号	CN101667740A	申请公布日	2010-03-10
分类号	H02J7/00(2006.01)I	分类	发电、变电或配电;
发明人	魏廷存;刘成;孙井龙	申请（专利权）人	西安龙腾微电子科技发展有限公司
代理机构	西北工业大学专利中心	代理人	黄毅新
地址	710077陕西省西安市高新区锦业路69号创业研发园C区1号瞪羚谷E座6F
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路，由增强型PMOS晶体管M1、电阻R1、耗尽型NMOS晶体管M2组成电平转换电路，电平转换电路的输入端为COUT_1，输出端为电阻R1一端的COUT_2；增强型PMOS晶体管M1的源极连接正电源VDD，栅极连接电路的输入端COUT_1，漏极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接耗尽型NMOS晶体管M2的漏极，耗尽型NMOS晶体管M2的栅极和源极短接并连接到负电源VM。由于电平转换电路采用耗尽型NMOS晶体管M2，在V_GS＝0的情况下即可导通且提供极小的恒定电流，保证了正确的电平转换功能，降低了贯通电流，进而降低电路功耗。流过NMOS晶体管M2的最大电流由现有技术的800nA降低到110nA，比现有技术电流减小了86％。