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应用于抗辐照电压转换芯片的双内锁自复位振荡器结构

基本信息

申请号 CN201711351717.0 申请日 -
公开（公告）号 CN107947780A 公开（公告）日 2018-04-20
申请公布号 CN107947780A 申请公布日 2018-04-20
分类号 H03K19/003 分类 基本电子电路;
发明人 孙煜;胡滨;王青勇;金沛沛 申请（专利权）人 西安龙腾微电子科技发展有限公司
代理机构 陕西增瑞律师事务所 代理人 张瑞琪
地址 710075 陕西省西安市高新区锦业一路52号宝德云谷国际A座8层
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了应用于抗辐照电压转换芯片的双内锁自复位振荡器结构，包括双电容振荡结构，双电容震荡结构通过开关分别与比较器和数字逻辑单元相连接，比较器和数字逻辑单元用于控制开关的翻转，比较器还连接有基准电压；为了克服现有抗辐照电压转换器芯片的抗辐照能力不足，采用具有抗辐照能力的数字逻辑单元代替了普通的逻辑单元，抗辐照数字逻辑单元中包含了两项措施，即可靠冗余结构和采用双内锁自复位单元，通过时钟模块冗余结构，可提高输出结果的正确率，采用双内锁自复位单元，有效的提高和加固芯片的抗辐照性能，采用双电容振荡的结构，可提高电路的频率精度。