一种具有高耐压能力的高电子迁移率晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201910822403.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447836A | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN112447836A | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎子兰 | 申请（专利权）人 | 广东致能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武成国 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区长岭路30号19栋139房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体功率器件，具体而言，涉及一种高耐压高电子迁移率晶体管(HEMT)。高耐压高电子迁移率晶体管，其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、P‑型氮化物半导体层、衬底；P‑型氮化物半导体层位于势垒层和衬底之间，其不足以显著耗尽除栅堆垛外的沟道中的二维电子气，且源电极与P‑型氮化物半导体层电接触，源电极与漏电极都与二维电子气电接触。 |
