半导体器件及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201910822402.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447835A | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN112447835A | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎子兰 | 申请（专利权）人 | 广东致能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武成国 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区长岭路30号19栋139房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法，所述器件包括衬底；在所述衬底上形成的第一半导体层；在所述第一半导体层的上形成的第二半导体层；第一半导体层具有比第二半导体层更小的禁带宽度；在所述第一或第二半导体层上形成的第一电极和第三电极，在所述第二半导体层上形成的第二电极，在第二电极下方具有第三半导体层，所述第三半导体层为P‑型第三半导体层。本公开内容的方案至少能有助于实现如下效果之一：减小栅极漏电流，具有高阈值电压、高功率、高可靠性，能够实现低导通电阻和器件的常关状态，能够提供稳定的阈值电压，从而使得半导体器件具有良好的开关特性，在使用中更安全。 |
