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一种半导体器件及其制造方法

基本信息

申请号	CN202010593852.1	申请日	-
公开（公告）号	CN113838929A	公开（公告）日	2021-12-24
申请公布号	CN113838929A	申请公布日	2021-12-24
分类号	H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	黎子兰	申请（专利权）人	广东致能科技有限公司
代理机构	北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	崔振
地址	510700广东省广州市黄埔区长岭路30号19栋139房
法律状态	-

摘要

本公开内容提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括以一基材，在所述基材上形成的凹槽，受所述凹槽结构限制生长的所述沟道层结构，所述沟道层结构露出所述基材的上表面；覆盖在露出的沟道层结构上的势垒层，在所述沟道层结构的第二面和第一面上分别形成的二维电子气和二维空穴气，以及在所述沟道层结构第一面/第二面上形成的源极、栅极和漏极；在所述沟道层结构第二面/第一面上形成的底电极。所述半导体器件能够减小栅极漏电流，具有高阈值电压、高功率、高可靠性，能够实现低导通电阻和器件的常关状态，能够提供稳定的阈值电压，从而使得半导体器件具有良好的开关特性，在使用中更安全。以及可以有效地降低局部电场强度，提高器件的整体性能与可靠性；所述半导体器件的结构和制备工艺较为简单，能有效减低生产成本。