一种高耐压的高电子迁移率晶体管
基本信息
| 申请号 | CN201910826836.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112447837A | 公开（公告）日 | 2021-03-05 |
| 申请公布号 | CN112447837A | 申请公布日 | 2021-03-05 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎子兰 | 申请（专利权）人 | 广东致能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 武成国 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区长岭路30号19栋139房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及半导体功率器件，具体而言，涉及一种高耐压高电子迁移率晶体管。高耐压高电子迁移率晶体管，其包含栅电极、源电极、漏电极、势垒层、沟道层、形核层、基底；沟道层位于势垒层和基底之间，沟道层包括P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层，其中形核层与漏电极在基底上的投影至少部分区域重合，漏电极与沟道层的二维电子气电接触，源电极与P‑型Ⅲ‑Ⅴ族半导体层电接触，栅电极位于势垒层之上。 |
