一种III族氮化物半导体集成电路结构、制造方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202010361160.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113571516A | 公开（公告）日 | 2021-10-29 |
| 申请公布号 | CN113571516A | 申请公布日 | 2021-10-29 |
| 分类号 | H01L27/085（2006.01）I;H01L21/8252（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎子兰 | 申请（专利权）人 | 广东致能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 崔振 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区长岭路30号19栋139房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种III族氮化物半导体集成电路结构、制造方法及其应用。所述集成电路结构是基于III族氮化物半导体的HEMT与HHMT的互补型电路，能在同一个衬底上实现HEMT与HHMT的集成，且HEMT与HHMT分别具有垂直界面的极化结，两者的极化结的晶向不同，二维载流子气在平行于所述极化结方向上形成载流子沟道，并借助掩埋掺杂区域而几乎耗尽对应的沟道载流子。与传统的硅基CMOS相比，本发明的集成电路结构在载流子迁移率、导通电流密度、开关速度等方面都具有优势，能够实现低导通电阻、低的寄生电感和器件的常关状态，能达到更高的导通电流密度、更高的集成度和能耗小的技术效果。 |
