一种半导体器件、制造方法及其应用
基本信息
| 申请号 | CN202011527315.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113838935A | 公开（公告）日 | 2021-12-24 |
| 申请公布号 | CN113838935A | 申请公布日 | 2021-12-24 |
| 分类号 | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 黎子兰;张树昕;陈卫宾 | 申请（专利权）人 | 广东致能科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 何明伦 |
| 地址 | 510700广东省广州市黄埔区长岭路30号19栋139房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开内容提供一种半导体器件及其制作方法。所述半导体器件包括基底；生成二维电荷载流子气的一界面；第一电极和第二电极；基底上形成的第一类型掺杂的第一半导体层，在所述第一半导体层中形成第一类型掺杂原子不具备电活性的第一区域和第一类型掺杂原子具备电活性的第二区域；所述第二区域中包含与所述第一区域共面的部分。所述半导体器件既能避免晶体结构的损伤，又能在工艺上容易实现，且能保持较好的二维电荷载流子气的输送性质，有利于器件性能的提升。 |
