一种记忆装置及制造方法
基本信息
| 申请号 | CN202011575398.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114695364A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114695364A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01L27/11507（2017.01）I;H01L27/11502（2017.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孔繁生;周华 | 申请（专利权）人 | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 代理机构 | 上海思牛达专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 200135上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区环湖西二路888号C楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例提供的记忆装置及其制造方法中铁电存储器单元，其由铁电电容器和存储器单元晶体管构成，其中，该铁电电容器配置于所述多个位线与所述多个字线及所述极板线的交叉部、一个电极与所述极板线连接，该存储器单元晶体管源极与所述铁电电容器的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述字线连接，负载电容调节单元，其由负载电容和垂直纳米GAA场效应晶体管构成，其中，该负载电容配置于所述多个位线与所述位线控制线的交叉部、一个电极与接地电位连接，该垂直纳米GAA场效应晶体管源极与所述负载电容的另一电极连接、漏极与所述位线连接、栅极与所述位线控制线连接，能够减少FeRAM（铁电存储器）单元面积。 |
