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一种高容量的硅碳材料及其制备方法

基本信息

申请号	CN202011247011.1	申请日	-
公开（公告）号	CN112421002A	公开（公告）日	2021-02-26
申请公布号	CN112421002A	申请公布日	2021-02-26
分类号	H01M4/48(2010.01)I;H01M4/36(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M10/0525(2010.01)I;H01M4/38(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	乔乔;王圆方;李兴月;平国政;高川;梁运辉	申请（专利权）人	成都爱敏特新能源技术有限公司
代理机构	成都熠邦鼎立专利代理有限公司	代理人	李晓英
地址	610000四川省成都市天府新区邛崃产业园区羊纵七路21号
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种高容量的硅碳材料及其制备方法，该硅碳材料以硅材料为核，以掺有导电剂的碳层为壳。该制备方法包括：S1，将硅源、包覆剂以及导电剂混合均匀，得混合物料；S2，融合所述混合物料；S3，高温包覆处理；S4，高温炭化处理。本发明在融合过程中可使硅源、包覆剂和导电剂更均匀、更紧密的粘结，导电剂的添加可增强硅碳材料的导电性，融合过程可以避免导电剂颗粒之间的团聚，使其均匀分散，同时通过表面高温动态包覆，硅源的外层的包覆剂可对暴露的硅源进行表面修饰，且碳表面可形成一层较稳定的、光滑的固体电解质界面膜，因此制备的硅碳材料可具备高的容量及效率，并且良好的包覆层可有效的缓解硅碳材料的体积膨胀，使循环性能得到提升。