一种利用多晶硅铸锭炉进行高效定向凝固除杂的工艺
基本信息
| 申请号 | CN201110146269.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102226296B | 公开（公告）日 | 2013-07-10 |
| 申请公布号 | CN102226296B | 申请公布日 | 2013-07-10 |
| 分类号 | C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 刘应宽;盛之林;何怀兴;马晓林;蒋宁雄;梁庆 | 申请（专利权）人 | 宁夏高创特能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 合天律师事务所 | 代理人 | 郭立宁 |
| 地址 | 751100 宁夏回族自治区吴忠市利通区友谊东路 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及冶金法多晶硅生产中高效定向凝固除杂的工艺。其技术方案是：a.预热：对坩埚中的硅料进行缓慢预热，预热真空度达到0.8Pa以下，预热温度范围：室温～1200℃，预热时间：6～10h，预热中要求完全保温；b.熔化：缓慢充入氩气至60Pa，保持熔化真空度；温度为1200℃～1550℃之间，时间为5～7h，保温；c.保持真空：停止充入氩气，真空度至5Pa，保持1h，再缓慢充入氩气至60Pa真空度；温度为1550～1440℃之间，真空降压、升压，时间为2～3h；d.定向凝固结晶：连续充入氩气保持60Pa真空度；温度为1440℃～1420℃；时间：22～26h，保温隔热笼逐步开启；e.冷却：连续充入氩气保持80Pa真空度；降低功率1～1.5h后温度降至1200℃，关闭功率后至300℃；冷却时间为10～13h；保温隔热笼开启。使用本发明提纯除杂效果良好。提纯除杂后中金属杂质含量产品达到了6N～7N太阳能多晶硅的等级要求。 |
