一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法
基本信息
| 申请号 | CN201610650014.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106294302A | 公开（公告）日 | 2017-01-04 |
| 申请公布号 | CN106294302A | 申请公布日 | 2017-01-04 |
| 分类号 | G06F17/24(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I;G06Q50/04(2012.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 范占军;盛之林;盛旺;马晓林;谢永龙 | 申请（专利权）人 | 宁夏高创特能源科技有限公司 |
| 代理机构 | 宁夏合天律师事务所 | 代理人 | 郭立宁 |
| 地址 | 751100 宁夏回族自治区吴忠市金积工业园区金纬三路南侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，分4个步骤：1，根据硅靶材目标极性、电阻率，计算出对应硼或磷差值含量范围；2，a、根据已知不同硅原料的品质、掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量；b、选择设置生产使用的单晶炉拉晶或铸锭炉长晶参数，及有效分凝系数；3，根据定向凝固杂质分凝理论，测算得到硅晶体每段长度掺杂差值浓度分布数据，换算出相应的极性、电阻率；4，比较测算数值与硅靶材目标值，再次调整硅原料配料硼磷含量，最终确定硅晶体材料最佳利用率时配料的各项参数。本测算方法简单、快捷、可靠，可任意调节预想得到的硅靶材极性、电阻率，可实际指导生产，开拓硅料来源，大大提高产品利用率。 |
