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一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法

基本信息

申请号 CN201610650014.7 申请日 -
公开（公告）号 CN106294302B 公开（公告）日 2018-10-09
申请公布号 CN106294302B 申请公布日 2018-10-09
分类号 G06F17/24;G06F17/50;G06Q50/04;C23C14/35;C30B29/06 分类 计算；推算；计数;
发明人 范占军;盛之林;盛旺;马晓林;谢永龙 申请（专利权）人 宁夏高创特能源科技有限公司
代理机构 宁夏合天律师事务所 代理人 郭立宁
地址 751100 宁夏回族自治区吴忠市金积工业园区金纬三路南侧
法律状态 -

摘要

摘要 一种硅靶材配料调节极性、电阻率测算方法，分4个步骤：1，根据硅靶材目标极性、电阻率，计算出对应硼或磷差值含量范围；2，a、根据已知不同硅原料的品质、掺杂剂种类、用量，初步配置生产硅靶材原料的总体平均硼磷含量；b、选择设置生产使用的单晶炉拉晶或铸锭炉长晶参数，及有效分凝系数；3，根据定向凝固杂质分凝理论，测算得到硅晶体每段长度掺杂差值浓度分布数据，换算出相应的极性、电阻率；4，比较测算数值与硅靶材目标值，再次调整硅原料配料硼磷含量，最终确定硅晶体材料最佳利用率时配料的各项参数。本测算方法简单、快捷、可靠，可任意调节预想得到的硅靶材极性、电阻率，可实际指导生产，开拓硅料来源，大大提高产品利用率。