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一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法

基本信息

申请号	CN201310187771.1	申请日	-
公开（公告）号	CN103354208B	公开（公告）日	2016-01-06
申请公布号	CN103354208B	申请公布日	2016-01-06
分类号	H01L21/337(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I	分类	基本电气元件;
发明人	倪炜江	申请（专利权）人	浏阳泰科天润半导体技术有限公司
代理机构	北京正理专利代理有限公司	代理人	泰科天润半导体科技（北京）有限公司;浏阳泰科天润半导体技术有限公司
地址	100192 北京市海淀区清河西小口路66号中关村东升科技园B-1西厅
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种碳化硅沟槽型JFET的制作方法，该方法包括如下步骤：在SiC第一导电类型的衬底上依次外延生长第一导电类型的漂移层、沟道层和帽子层；在帽子层上淀积第一掩膜层并形成掩膜图形；以第一掩膜层作为掩膜，刻蚀帽子层和沟道层至漂移层形成沟槽；各向同性地淀积第二掩膜层；各向异性法地刻蚀去除沟槽底部和第一掩膜层上的第二掩膜层；对暴露的漂移层进行离子注入，在漂移层中形成第二导电类型的离子注入区以与漂移层形成pn二极管；去除剩余的掩膜层并淀积隔离层；用光刻的方法至少部分地去除帽子层和沟槽底部的隔离层；在衬底上，暴露的帽子层和暴露的离子注入区中形成欧姆接触。所述方法能够防止沟道因离子注入产生损伤和缺陷。