一种碳化硅二极管器件
基本信息
| 申请号 | CN201820254563.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN207868205U | 公开（公告）日 | 2018-09-14 |
| 申请公布号 | CN207868205U | 申请公布日 | 2018-09-14 |
| 分类号 | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/41;H01L29/16;H01L21/329 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈彤 | 申请（专利权）人 | 浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 福州市鼓楼区京华专利事务所（普通合伙） | 代理人 | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司;浏阳泰科天润半导体技术有限公司 |
| 地址 | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、113A、115A、117A、119A、121A | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种碳化硅二极管器件，其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配，解决结势垒肖特基二极管中，由于pn结区域的存在，导通状态下器件有效导通面积较小，导致导通电阻较高的问题。 |
