NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器专利查询专利号|摘要-满商公司网

NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器

基本信息

申请号	CN201910590912.1	申请日	-
公开（公告）号	CN110289038B	公开（公告）日	2021-05-07
申请公布号	CN110289038B	申请公布日	2021-05-07
分类号	G11C7/06(2006.01)I;G11C7/18(2006.01)I;G11C16/24(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I	分类	-
发明人	冯一飞;蔡万方;王志刚	申请（专利权）人	珠海创飞芯科技有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王洋
地址	519080广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3座305
法律状态	-

摘要

本发明提供了一种NAND闪存的位线与读出放大器的连接方法以及读出放大器，该连接方法应用于读出放大器。其中，读出放大器包括高压器件以及低压器件，且高压器件以及低压器件均包括栅极以及有源区。具体的，本方法将高压器件设置在读出放大器中的第一预设位置，将低压器件设置在读出放大器中与第一预设位置相邻的第二预设位置。然后设置位线为连续不断的第二金属走线，每条位线通过第一过孔与一个高压器件中栅极电相连，高压器件中的有源区通过第二过孔与第一金属走线的一端电相连，第一金属走线的另一端通过第三过孔与一个低压器件的有源区电相连。即本发明将高压器件的有源区通过第一金属走线与低压器件相连，位线无需被切断，简化了生产工艺。