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一种闪存结构、数据处理方法、存储介质及电子设备

基本信息

申请号 CN202210005842.0 申请日 -
公开（公告）号 CN114360624A 公开（公告）日 2022-04-15
申请公布号 CN114360624A 申请公布日 2022-04-15
分类号 G11C29/42（2006.01）I;G11C16/04（2006.01）I;G11C16/06（2006.01）I 分类 信息存储;
发明人 王少龙;王志刚 申请（专利权）人 珠海创飞芯科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 张影
地址 519080广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3栋305
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供了一种闪存结构、数据处理方法、存储介质及电子设备，该闪存结构具有内部纠错功能，包括：闪存存储阵列、位线多路选择器、驱动电路、ECC解码器、输出选择模块、晶片管脚、页面缓冲器和ECC编码器；闪存存储阵列通过位线多路选择器与驱动电路相连；驱动电路依次通过ECC解码器和输出选择模块与晶片管脚相连；晶片管脚依次通过页面缓冲器和ECC编码器与驱动电路相连。通过在闪存结构的编程路径中加入ECC编码器，在读取路径中加入ECC解码器，使得闪存结构中的数据编程和数据读取均具有ECC纠错功能，进而提供一种内部具有纠错功能的闪存结构，扩展了闪存结构的应用范围。