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Nor flash过擦除的修复方法及Nor flash存储阵列

基本信息

申请号 CN202110087797.3 申请日 -
公开（公告）号 CN112908404A 公开（公告）日 2021-06-04
申请公布号 CN112908404A 申请公布日 2021-06-04
分类号 G11C29/44 分类 信息存储;
发明人 王志刚;李弦;贾宬;叶谦 申请（专利权）人 珠海创飞芯科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 钱娜
地址 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3座305
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种Nor flash过擦除的修复方法和Nor flash存储阵列，该方法包括：在对选中的Nor flash阵列块进行块擦除修复操作的过程中，利用限流电路调节被修复Nor flash阵列块漏端和源端的电流；根据调节后的Nor flash阵列块漏端和源端的电流，对选中的Nor flash阵列块进行过擦除修复。在本方案中，通过限流电路调节Nor flash阵列块漏端和源端的电流，以对选中的Nor flash阵列块进行过擦除修复，可以同时批量对多个选中的Nor flash阵列块进行过擦除修复，从而提高对多个Nor flash阵列块进行过擦除修复的修复效率。