OTP器件结构及其制作方法、OTP存储器
基本信息
| 申请号 | CN202011622178.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112768452A | 公开（公告）日 | 2021-05-07 |
| 申请公布号 | CN112768452A | 申请公布日 | 2021-05-07 |
| 分类号 | H01L27/112(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王志刚;贾宬;李弦 | 申请（专利权）人 | 珠海创飞芯科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李婷婷 |
| 地址 | 519080广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园3座305 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供一种OTP器件结构及其制作方法、OTP存储器，其中，所述OTP器件结构，将选通管的源极区和漏极区中的至少一个的衬底和沟道注入条件修改为与低压器件的衬底和沟道注入条件相同，从而提高了源漏之间的抗击穿能力，从而使得选通管的沟道长度能够相对现有技术来说进一步缩小，也即通过改变选通管的衬底及沟道注入条件实现沟道长度进一步缩小，进而进一步缩小了OTP存储单元的尺寸，也即能够进一步缩小OTP存储器的尺寸。 |
